Михайлова, М.А. и Большакова, Н.Н. и Гординская, Е.Н. (2015) Влияние ионов марганца на процессы переключения аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата. Вестник ТвГУ. Серия: Физика (1). С. 62-69. ISSN 1995-0128
|
PDF
- Опубликованная версия
458kB |
Абстракт
Исследовано влияние ионов марганца на процессы переключения и диэлектрические свойства аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата (АТГС:Mn2+). Установлено, что ионы марганца входят в кристаллическую решетку АТГС неравномерно, петли диэлектрического гистерезиса кристаллов искажены и униполярны, существенного влияния примеси на точку фазового перехода не обнаружено
Абстракт (англ.)
A study is made of the effect of Mn ions on the processes of switching and dielectric properties of alanine-containing tryglycine sulphate (ATGS:Mn2+) crystals. It is shown that manganese ions enter the ATGS crystal lattice non-uniformly. The dielectric hysteresis loops of the crystals under study are unipolar and distorted. No noticeable effect of the impurities on the phase transition point was observed
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Сведения об авторах: | БОЛЬШАКОВА Наталья Николаевна –доцент кафедры физики сегнето- и пьезоэлектриков физико-технического факультета Тверского государственного университета; МИХАЙЛОВ Михаил Андреевич – магистрант физико-технического факультета Тверского государственного университета; ГОРДИНСКАЯ Елена Николаевна - старший преподаватель кафедры физики, математики и медицинской информатики Тверской государственной медицинской академии. |
| Ключевые слова: | ионы марганца, аланинсодержащие кристаллы триглицинсульфата, процессы переключения, диэлектрические свойства |
| Ключевые слова (англ.): | manganese ions, alanine -containing tryglycine sulphate crystals, switching processes, dielectric properties |
| Категории: | 5 Математика. Естественные науки > 53 Физика > 537 Электричество. Магнетизм. Электромагнетизм > 537.2 Статическое электричество. Электростатика > 537.22 Получение электричества. Распределение электричества. Накопление электричества > 537.226 Электрические свойства диэлектриков. Проницаемость. Диэлектрическая прочность. Сегнетоэлектричество > 537.226.4 Сегнетоэлектричество |
| Подразделения: | Академии > Тверская государственная медицинская академия Университеты > Тверской государственный университет |
| ID Code: | 6073 |
| Deposited By: | С.Б. Федорова |
| Deposited On: | 13 Мар 2017 12:49 |
| Последнее изменение: | 13 Мар 2017 12:49 |
Repository Staff Only: item control page
