LogoРепозиторий Тверского госуниверситета

Процессы переключения и доменная структура аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата

Большакова, Н.Н. и Иванова, А.И. и Пугачева, Н.А. (2014) Процессы переключения и доменная структура аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата. Вестник ТвГУ. Серия: Физика (3). С. 26-36. ISSN 1995-0128

[img]
Предварительный просмотр
PDF - Опубликованная версия
706kB

Абстракт

Приведены результаты исследований электрофизических характеристик, процессов переключения и доменной структуры монокристаллов триглицинсульфата с примесью L-α-аланина (АТГС). Установлено, что исследованные кристаллы АТГС обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Для большинства исследованных составов АТГС петли диэлектрического гистерезиса искажены и униполярны. С увеличением концентрации примеси L-α-аланина искажение петли увеличивается. Доменная структура кристаллов АТГС существенно отличается от доменной структуры беспримесных кристаллов

Абстракт (англ.)

Results are presented of the study of electrophysical characteristics, switching processes and domain structure of triglycine sulfate monocrystal doped with L-α-alanine (ATGS). It is shown that the investigated ATGS crystals exhibit ferroelectric properties. Dielectric hysteresis loops are distorted and unipolar for most of the investigated ATGS compounds. Loop distortion increases with increasing concentration of L-α-alanine impurity. Domain structure of ATGS crystals differs significantly from that of undoped crystals

Тип объекта:Статья
Сведения об авторах:БОЛЬШАКОВА Наталья Николаевна – канд. физ.-мат. наук, доцент физико-технического факультета ТвГУ; ИВАНОВА Александра Ивановна – ассистент кафедры прикладной физики ТвГУ, ведущий инженер ЦКП ТвГУ; ПУГАЧЕВА Наталья Алексеевна – магистрант кафедры физики сегнето- и пьезоэлектриков ТвГУ.
Ключевые слова:аланинсодержащие кристаллы триглицинсульфата, процессы переключения, доменная структура
Ключевые слова (англ.):alanin-doped triglycine sulfate crystals, switching process, domain structure
Категории:5 Математика. Естественные науки > 53 Физика > 537 Электричество. Магнетизм. Электромагнетизм > 537.2 Статическое электричество. Электростатика > 537.22 Получение электричества. Распределение электричества. Накопление электричества > 537.226 Электрические свойства диэлектриков. Проницаемость. Диэлектрическая прочность. Сегнетоэлектричество
Подразделения:Университеты > Тверской государственный университет
ID Code:6079
Deposited By: С.Б. Федорова
Deposited On:13 Мар 2017 14:05
Последнее изменение:13 Мар 2017 14:05

Repository Staff Only: item control page