СРАВНИТЕЛЬНОЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ИЗ АТОМНОГО ПУЧКА И КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НАНОЧАСТИЦ

Abstract

На основе изотермической молекулярной динамики моделировался процесс эпитаксиального роста наноструктур на твердой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии. Энергия атомного пучка составляла 3-5 эВ (в расчете на один атом), что в десять раз превышет энергию теплового движения, но на три порядка меньше энергии ионов, используемых в процессах низкоэнергетической ионной имплантации. Установлено, что при эпитаксиальном росте наноструктур на твердой поверхности формируются слоистые плотноупакованные структуры. Проведен сравнительный анализ формы и условий формирования таких структур в молекулярно-динамических экспериментах на модельных леннард-джонсовских системах при молекулярно-лучевой эпитаксии и кристаллизации нанокапель.